Bauform	Solid State Module (SSM)
Formfaktor	M.2 2280
Schnittstelle	M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
Lesen	6900MB/s
Schreiben	5000MB/s SLC-Cached (1100MB/s TLC)
IOPS 4K lesen/schreiben	800k/1000k
Speichermodule	3D-NAND TLC, Samsung, 128 Layer (V-NAND v6)
TBW	300TB
Zuverlässigkeitsprognose	1.5 Mio. Stunden (MTBF)
Controller	Samsung Elpis (S4LV003), 8 Kanäle
Cache	512MB (LPDDR4), SLC-Cache (4-18GB)
Protokoll	NVMe 1.3c
Datenschutzfunktionen	256bit AES, TCG Opal 2.0
Leistungsaufnahme	7.4W (maximal), 5.9W (Betrieb), 0.035W (Leerlauf), 0.005W (Schlafmodus)
Abmessungen	80x22x2.38mm
Besonderheiten	L1.2 Low-Power-Standby
Hersteller	Samsung
MPN	MZ-V8P500BW
EAN	8806090295539

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